Name: SCTH100N65G2-7AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTH100N65G2-7AGTR-ND
Price: 28.95 USD
Availability: InStock

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SCTH100N65G2-7AG
Número de produto da DigiKey	497-SCTH100N65G2-7AGTR-ND - Fita e carretel (TR) 497-SCTH100N65G2-7AGCT-ND - Fita cortada (CT) 497-SCTH100N65G2-7AGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de produto do fabricante	SCTH100N65G2-7AG
Descrição	SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 95A (Tc) 360W (Tc) Montagem em superfície H2PAK-7
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SCTH100N65G2-7AG Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	STMicroelectronics
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Última compra
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	95A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	26mOhm a 50A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id	5V a 5mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	162 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+22V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	3315 pF @ 520 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	360W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	H2PAK-7
Pacote / Invólucro	TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA
Número base de produto	SCTH100