Name: SCT019HU120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT019HU120G3AG-ND
Price: 21.03 USD
Availability: OutOfStock

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SCT019HU120G3AG
Número de produto da DigiKey	497-SCT019HU120G3AG-ND
Fabricante	STMicroelectronics
Número de produto do fabricante	SCT019HU120G3AG
Descrição	SIC MOSFET
Tempo de espera previsto do fabricante	32 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1200 V 90A (Tc) 500W (Tc) Montagem em superfície HU3PAK
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4,2V a 10mA
Fabricante STMicroelectronics	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 111.2 nC @ 18 V
Séries ECOPACK®	Vgs (máx.) +22V, -10V
Embalagem Granel	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2789 pF @ 800 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 500W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia SiCFET (carboneto de silício)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 1200 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 90A (Tc)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 18V	Invólucro do dispositivo fornecido HU3PAK
Rds on (máx.) para Id, Vgs 26mOhm a 40A, 18V	Pacote / Invólucro TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA