
S1M1000170K | |
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Número de produto da DigiKey | 1655-S1M1000170K-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | S1M1000170K |
Descrição | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1700V |
Tempo de espera previsto do fabricante | 12 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 1700 V 5,2A (Tc) 81W (Tc) Furo passante TO-247-4 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | - | |
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 1700 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 20V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 1,3Ohm a 2A, 20V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4V a 500µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 10 nC @ 20 V | |
Vgs (máx.) | +25V, -10V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 160 pF @ 1000 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 81W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 175°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Furo passante | |
Invólucro do dispositivo fornecido | TO-247-4 | |
Pacote / Invólucro |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 4,96000 | $ 4,96 |
| 10 | $ 3,28800 | $ 32,88 |
| 300 | $ 2,04907 | $ 614,72 |
| 600 | $ 1,90173 | $ 1.141,04 |
| 1.200 | $ 1,80913 | $ 2.170,96 |





