Canal N 1200 V 65A (Tc) 483W (Tc) Montagem em chassis SOT-227
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S3M0040120N

Número de produto da DigiKey
1655-S3M0040120N-ND
Fabricante
SMC Diode Solutions
Número de produto do fabricante
S3M0040120N
Descrição
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Tempo de espera previsto do fabricante
12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 1200 V 65A (Tc) 483W (Tc) Montagem em chassis SOT-227
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
SMC Diode Solutions
Séries
-
Embalagem
Granel
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
65A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
52mOhm a 40A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 16mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
143 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+20V, -8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
2844 pF @ 1000 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
483W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em chassis
Invólucro do dispositivo fornecido
SOT-227
Pacote / Invólucro
SOT- 227-4 , miniBLOC
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Quantidade
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Granel
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 24,50000$ 24,50
36$ 15,37694$ 553,57
108$ 14,62667$ 1.579,68
Embalagem padrão do fabricante