
GCMX080B120S1-E1 | |
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Número de produto da DigiKey | 1560-GCMX080B120S1-E1-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | GCMX080B120S1-E1 |
Descrição | SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 22 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 1200 V 30A (Tc) 142W (Tc) Montagem em chassis SOT-227 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | - | |
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 1200 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 20V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 100mOhm a 20A, 20V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4V a 10mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 58 nC @ 20 V | |
Vgs (máx.) | +25V, -10V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 1336 pF @ 1000 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 142W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 175°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em chassis | |
Invólucro do dispositivo fornecido | SOT-227 | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 20,35000 | $ 20,35 |
| 10 | $ 14,58600 | $ 145,86 |
| 100 | $ 11,55000 | $ 1.155,00 |



