SCT2H12NYTB está obsoleto e não é mais fabricado.
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Rohm Semiconductor
Em estoque: 611
Preço unitário : $ 5,97000
Ficha técnica
Canal N 1700 V 4A (Tc) 44W (Tc) Montagem em superfície TO-268
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
Canal N 1700 V 4A (Tc) 44W (Tc) Montagem em superfície TO-268
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

SCT2H12NYTB

Número de produto da DigiKey
SCT2H12NYTBTR-ND - Fita e carretel (TR)
SCT2H12NYTBCT-ND - Fita cortada (CT)
SCT2H12NYTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Número de produto do fabricante
SCT2H12NYTB
Descrição
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 1700 V 4A (Tc) 44W (Tc) Montagem em superfície TO-268
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
SCT2H12NYTB Modelos
Atributos de produto
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Categoria
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 410µA
Fabricante
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
14 nC @ 18 V
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Vgs (máx.)
+22V, -6V
Part Status
Obsoleto
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
184 pF @ 800 V
Tipo de FET
Dissipação de potência (máx.)
44W (Tc)
Tecnologia
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1700 V
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-268
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Pacote / Invólucro
Rds on (máx.) para Id, Vgs
1,5Ohm a 1,1A, 18V
Número base de produto
Classificação de exportação e ambiental
Perguntas e respostas sobre o produto
Recursos adicionais
Substitutos (1)
Número de peçaFabricante QUANTIDADE DISPONÍVELNúmero de produto da DigiKey Preço unitário Tipo de substituto
SCT2H12NWBTL1Rohm Semiconductor611846-SCT2H12NWBTL1CT-ND$ 5,97000Recomendado pelo fabricante
Obsoleto
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