Canal N 1200 V 14A (Tc) 108W (Tc) Furo passante TO-247N
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Canal N 1200 V 14A (Tc) 108W (Tc) Furo passante TO-247N
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

SCT2280KEGC11

Número de produto da DigiKey
846-SCT2280KEGC11-ND
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante
SCT2280KEGC11
Descrição
1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE
Tempo de espera previsto do fabricante
23 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 1200 V 14A (Tc) 108W (Tc) Furo passante TO-247N
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Rohm Semiconductor
Séries
-
Embalagem
Tubo
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
14A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
364mOhm a 4A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 1,4mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
36 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -6V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
667 pF @ 800 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
108W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-247N
Pacote / Invólucro
TO-247-3
Número base de produto
SCT2280
Perguntas e respostas sobre o produto

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Quantidade
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Tubo
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 14,40000$ 14,40
10$ 10,11300$ 101,13
450$ 7,40000$ 3.330,00
Embalagem padrão do fabricante
Observação: devido aos serviços de valor agregado da DigiKey, o tipo de embalagem pode alterar se o produto for adquirido em quantidades inferiores ao pacote padrão.