Name: RSJ550N10TL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RSJ550N10TLTR-ND
Price: 5.22 USD
Availability: OutOfStock

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Preço unitário : $ 3,55000

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RSJ550N10TL
Número de produto da DigiKey	RSJ550N10TLTR-ND - Fita e carretel (TR) RSJ550N10TLCT-ND - Fita cortada (CT) RSJ550N10TLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RSJ550N10TL
Descrição	MOSFET N-CH 100V 55A LPTS
Tempo de espera previsto do fabricante	21 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 55A (Ta) 100W (Tc) Montagem em superfície LPTS
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	RSJ550N10TL Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	55A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	16,8mOhm a 27,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	143 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	6150 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	100W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	LPTS
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	RSJ550