Name: RS7P200BMTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS7P200BMTB1TR-ND
Price: 5.37 USD
Availability: OutOfStock

Novo na DigiKey

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

RS7P200BMTB1
Número de produto da DigiKey	846-RS7P200BMTB1TR-ND - Fita e carretel (TR) 846-RS7P200BMTB1CT-ND - Fita cortada (CT) 846-RS7P200BMTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RS7P200BMTB1
Descrição	NCH 100V 200A, DFN5060-8S, WIDE-
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 200A (Tc) 3,6W (Ta), 217W (Tc) Montagem em superfície DFN5060-8S
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 1mA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 105 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 7800 pF @ 50 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 3,6W (Ta), 217W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 200A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido DFN5060-8S
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Rds on (máx.) para Id, Vgs 4mOhm a 50A, 10V