Name: RS7N200BHTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS7N200BHTB1TR-ND
Price: 5.53 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

RS7N200BHTB1
Número de produto da DigiKey	846-RS7N200BHTB1TR-ND - Fita e carretel (TR) 846-RS7N200BHTB1CT-ND - Fita cortada (CT) 846-RS7N200BHTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RS7N200BHTB1
Descrição	NCH 80V 230A, DFN5060-8S, POWER
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 230A (Ta) 3W (Ta), 180W (Tc) Montagem em superfície DFN5060-8S
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 1mA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 92 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 6550 pF @ 40 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 3W (Ta), 180W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 80 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 230A (Ta)	Invólucro do dispositivo fornecido DFN5060-8S
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Rds on (máx.) para Id, Vgs 2mOhm a 50A, 10V