Name: RS6G100BGTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS6G100BGTB1TR-ND
Price: 2.65 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

RS6G100BGTB1
Número de produto da DigiKey	846-RS6G100BGTB1TR-ND - Fita e carretel (TR) 846-RS6G100BGTB1CT-ND - Fita cortada (CT) 846-RS6G100BGTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RS6G100BGTB1
Descrição	NCH 40V 100A, HSOP8, POWER MOSFE
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 100A (Tc) 3W (Ta), 59W (Tc) Montagem em superfície 8-HSOP
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 1mA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 24 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1510 pF @ 20 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 3W (Ta), 59W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 40 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 100A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido 8-HSOP
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Rds on (máx.) para Id, Vgs 3,4mOhm a 90A, 10V