Name: RS3E180ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS3E180ATTB1TR-ND
Price: 3.69 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

RS3E180ATTB1
Número de produto da DigiKey	RS3E180ATTB1TR-ND - Fita e carretel (TR) RS3E180ATTB1CT-ND - Fita cortada (CT) RS3E180ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RS3E180ATTB1
Descrição	MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 30 V 18A (Ta) 1,4W (Ta) Montagem em superfície 8-SOP
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	RS3E180ATTB1 Modelos

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 5mA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 160 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 7200 pF @ 15 V
Tipo de FET Canal P	Dissipação de potência (máx.) 1,4W (Ta)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 18A (Ta)	Invólucro do dispositivo fornecido 8-SOP
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro 8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Rds on (máx.) para Id, Vgs 5,4mOhm a 18A, 10V	Número base de produto RS3E