Name: RS3E135BNGZETB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS3E135BNGZETBTR-ND
Price: 1.61 USD
Availability: InStock

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RS3E135BNGZETB
Número de produto da DigiKey	RS3E135BNGZETBTR-ND - Fita e carretel (TR) RS3E135BNGZETBCT-ND - Fita cortada (CT) RS3E135BNGZETBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RS3E135BNGZETB
Descrição	MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
Tempo de espera previsto do fabricante	21 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 9,5A (Ta) 2W (Tc) Montagem em superfície 8-SOP
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	RS3E135BNGZETB Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	9,5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	14,6mOhm a 9,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	8.3 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	680 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SOP
Pacote / Invólucro	8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Número base de produto	RS3E