Name: RS1P600BHTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS1P600BHTB1TR-ND
Price: 4.22 USD
Availability: InStock

Canal N 100 V 18A (Ta), 60A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) Montagem em superfície 8-HSOP

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RS1P600BHTB1
Número de produto da DigiKey	846-RS1P600BHTB1TR-ND - Fita e carretel (TR) 846-RS1P600BHTB1CT-ND - Fita cortada (CT) 846-RS1P600BHTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RS1P600BHTB1
Descrição	NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 18A (Ta), 60A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) Montagem em superfície 8-HSOP
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	18A (Ta), 60A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	8,8mOhm para 18A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	4080 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-HSOP
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8
Número base de produto	RS1P

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Quantidade

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Fita cortada (CT)

Quantidade	Preço unitário	Preço total
1	$ 4,22000	$ 4,22
10	$ 2,77000	$ 27,70
100	$ 1,94510	$ 194,51
500	$ 1,59316	$ 796,58
1.000	$ 1,48011	$ 1.480,11

Fita e carretel (TR)

Quantidade	Preço unitário	Preço total
2.500	$ 1,32875	$ 3.321,88

Embalagem padrão do fabricante

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