RS1L145GNTB Rohm Semiconductor | FET simples, MOSFETs

RS1L145GNTB
Número de produto da DigiKey	RS1L145GNTBTR-ND - Fita e carretel (TR) RS1L145GNTBCT-ND - Fita cortada (CT) RS1L145GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RS1L145GNTB
Descrição	MOSFET N-CH 60V 14.5A/47A 8HSOP
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 14,5A (Ta), 47A (Tc) 3W (Ta) Montagem em superfície 8-HSOP
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	14,5A (Ta), 47A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	9,7mOhm a 14,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,7V a 200µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	37 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1880 pF @ 30 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3W (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-HSOP
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8
Número base de produto	RS1L

RS1L145GNTB