Name: RS1E350BNTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS1E350BNTB1TR-ND
Price: 3.41 USD
Availability: InStock

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RS1E350BNTB1
Número de produto da DigiKey	846-RS1E350BNTB1TR-ND - Fita e carretel (TR) 846-RS1E350BNTB1CT-ND - Fita cortada (CT) 846-RS1E350BNTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RS1E350BNTB1
Descrição	NCH 30V 80A POWER MOSFET: RS1E35
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 35A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) Montagem em superfície 8-HSOP
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 1mA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 185 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 7900 pF @ 15 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 3W (Ta), 35W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 35A (Ta), 80A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido 8-HSOP
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,7mOhm a 35A, 10V	Número base de produto RS1E

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Substitutos (1)

Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
RS1E350BNTB	Rohm Semiconductor	750	RS1E350BNTBCT-ND	$ 2,64000	Equivalente paramétrico

Em estoque: 2.207

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Quantidade

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Fita cortada (CT)

Fita e carretel (TR)

Quantidade	Preço unitário	Preço total
2.500	$ 1,48265	$ 3.706,62
5.000	$ 1,43188	$ 7.159,40

Embalagem padrão do fabricante

RS1E350BNTB1