Canal N 30 V 28A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 31W (Tc) Montagem em superfície 8-HSOP
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

RS1E280GNTB

Número de produto da DigiKey
846-RS1E280GNTR-ND - Fita e carretel (TR)
846-RS1E280GNCT-ND - Fita cortada (CT)
846-RS1E280GNDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante
RS1E280GNTB
Descrição
MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Tempo de espera previsto do fabricante
16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 30 V 28A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 31W (Tc) Montagem em superfície 8-HSOP
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
RS1E280GNTB Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Rohm Semiconductor
Séries
-
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
28A (Ta), 80A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
2,6mOhm a 28A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
2,5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
2300 pF @ 15 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
3W (Ta), 31W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
8-HSOP
Pacote / Invólucro
PowerTDFN-8
Número base de produto
RS1E
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Em estoque: 254
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 1,53000$ 1,53
10$ 0,96500$ 9,65
100$ 0,64240$ 64,24
500$ 0,50406$ 252,03
1.000$ 0,45956$ 459,56
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
2.500$ 0,41138$ 1.028,45
5.000$ 0,38161$ 1.908,05
7.500$ 0,36644$ 2.748,30
12.500$ 0,36125$ 4.515,62
Embalagem padrão do fabricante