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Preço unitário : $ 0,00000
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RS1E130GNTB
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

RS1E200BNTB

Número de produto da DigiKey
RS1E200BNTBTR-ND - Fita e carretel (TR)
RS1E200BNTBCT-ND - Fita cortada (CT)
RS1E200BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante
RS1E200BNTB
Descrição
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Tempo de espera previsto do fabricante
21 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 30 V 20A (Ta), 68A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Montagem em superfície 8-HSOP
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
RS1E200BNTB Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Rohm Semiconductor
Séries
-
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
20A (Ta), 68A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
3,9mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
2,5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
3100 pF @ 15 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
3W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
8-HSOP
Pacote / Invólucro
PowerTDFN-8
Número base de produto
RS1E
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 1,22000$ 1,22
10$ 0,76600$ 7,66
100$ 0,50480$ 50,48
500$ 0,39230$ 196,15
1.000$ 0,35608$ 356,08
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
2.500$ 0,31686$ 792,15
5.000$ 0,29262$ 1.463,10
7.500$ 0,28026$ 2.101,95
12.500$ 0,26639$ 3.329,88
17.500$ 0,26500$ 4.637,50
Embalagem padrão do fabricante