Name: RQ7E110AJTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ7E110AJTCRTR-ND
Price: 1.5 USD
Availability: InStock

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RQ7E110AJTCR
Número de produto da DigiKey	RQ7E110AJTCRTR-ND - Fita e carretel (TR) RQ7E110AJTCRCT-ND - Fita cortada (CT) RQ7E110AJTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RQ7E110AJTCR
Descrição	MOSFET N-CH 30V 11A TSMT8
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 11A (Tc) 1,5W (Tc) Montagem em superfície TSMT8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	RQ7E110AJTCR Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	11A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	9mOhm a 4,5A, 11V
Vgs(th) (máx.) para Id	1,5V a 10mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	22 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2410 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1,5W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TSMT8
Pacote / Invólucro	8-SMD, condutores planos
Número base de produto	RQ7E110