Name: RQ3P270BKFRATCB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3P270BKFRATCBTR-ND
Price: 2.17 USD
Availability: InStock

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RQ3P270BKFRATCB
Número de produto da DigiKey	846-RQ3P270BKFRATCBTR-ND - Fita e carretel (TR) 846-RQ3P270BKFRATCBCT-ND - Fita cortada (CT) 846-RQ3P270BKFRATCBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RQ3P270BKFRATCB
Descrição	NCH 100V 27A, HSMT8AG, POWER MOS
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 27A (Tc) 69W (Tc) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3)
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 13.6 nC @ 10 V
Fabricante Rohm Semiconductor	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 670 pF @ 50 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 69W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 27A (Tc)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Invólucro do dispositivo fornecido 8-HSMT (3,2x3)
Rds on (máx.) para Id, Vgs 27mOhm a 27A, 10V	Pacote / Invólucro PowerVDFN-8
Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 1,6mA