Name: RQ3N040ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3N040ATTB1TR-ND
Price: 1.69 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

RQ3N040ATTB1
Número de produto da DigiKey	846-RQ3N040ATTB1TR-ND - Fita e carretel (TR) 846-RQ3N040ATTB1CT-ND - Fita cortada (CT) 846-RQ3N040ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RQ3N040ATTB1
Descrição	PCH -80V -10A, HSMT8, POWER MOSF
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 80 V 4A (Ta), 10A (Tc) 2W (Ta), 15W (Tc) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 1mA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 22 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 930 pF @ 40 V
Tipo de FET Canal P	Dissipação de potência (máx.) 2W (Ta), 15W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 80 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 4A (Ta), 10A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido 8-HSMT (3,2x3)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Pacote / Invólucro PowerVDFN-8
Rds on (máx.) para Id, Vgs 126mOhm a 4A, 10V