Canal N 30 V 18A (Ta), 39A (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3)
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Canal N 30 V 18A (Ta), 39A (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3)
8 HSMT

RQ3E180GNTB

Número de produto da DigiKey
RQ3E180GNTBTR-ND - Fita e carretel (TR)
RQ3E180GNTBCT-ND - Fita cortada (CT)
RQ3E180GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante
RQ3E180GNTB
Descrição
MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
Tempo de espera previsto do fabricante
21 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 30 V 18A (Ta), 39A (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
RQ3E180GNTB Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Rohm Semiconductor
Séries
-
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
18A (Ta), 39A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
4,3mOhm a 18A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
2,5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
22.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
1520 pF @ 15 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
2W (Ta), 20W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
8-HSMT (3,2x3)
Pacote / Invólucro
PowerVDFN-8
Número base de produto
RQ3E180
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Em estoque: 1.553
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 1,09000$ 1,09
10$ 0,68200$ 6,82
100$ 0,44670$ 44,67
500$ 0,34554$ 172,77
1.000$ 0,31294$ 312,94
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
3.000$ 0,27152$ 814,56
6.000$ 0,25066$ 1.503,96
9.000$ 0,24004$ 2.160,36
15.000$ 0,22810$ 3.421,50
21.000$ 0,22625$ 4.751,25
Embalagem padrão do fabricante