Name: RQ3E180BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E180BNTBTR-ND
Price: 1.16 USD
Availability: InStock

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RQ3E180BNTB
Número de produto da DigiKey	RQ3E180BNTBTR-ND - Fita e carretel (TR) RQ3E180BNTBCT-ND - Fita cortada (CT) RQ3E180BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RQ3E180BNTB
Descrição	MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 39A (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	RQ3E180BNTB Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 1mA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 37 nC @ 4.5 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 3500 pF @ 15 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 2W (Ta), 20W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 39A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido 8-HSMT (3,2x3)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro PowerVDFN-8
Rds on (máx.) para Id, Vgs 3,9mOhm a 18A, 10V	Número base de produto RQ3E180

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Quantidade

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Fita cortada (CT)

Fita e carretel (TR)

Quantidade	Preço unitário	Preço total
3.000	$ 0,27566	$ 826,98

Embalagem padrão do fabricante

RQ3E180BNTB