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RQ3E150MNTB1 está obsoleto e não é mais fabricado.
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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
RQ3E150MNTB1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | RQ3E150MNTB1TR-ND - Fita e carretel (TR) RQ3E150MNTB1CT-ND - Fita cortada (CT) RQ3E150MNTB1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | RQ3E150MNTB1 |
Descrição | MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 30 V 15A (Ta) 2W (Ta) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | RQ3E150MNTB1 Modelos |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | - | |
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Obsoleto | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5V, 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 6,7mOhm a 15A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 2,5V a 1mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 20 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 1100 pF @ 15 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 2W (Ta) | |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | 8-HSMT (3,2x3) | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
Obsoleto
Brasil