Canal N 30 V 12A (Ta) 2W (Ta), 16W (Tc) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3)
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Canal N 30 V 12A (Ta) 2W (Ta), 16W (Tc) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3)
8 HSMT

RQ3E120GNTB

Número de produto da DigiKey
RQ3E120GNTBTR-ND - Fita e carretel (TR)
RQ3E120GNTBCT-ND - Fita cortada (CT)
RQ3E120GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante
RQ3E120GNTB
Descrição
MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Tempo de espera previsto do fabricante
16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 30 V 12A (Ta) 2W (Ta), 16W (Tc) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
RQ3E120GNTB Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Rohm Semiconductor
Séries
-
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
12A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
8,8mOhm a 12A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
2,5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
590 pF @ 15 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
2W (Ta), 16W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
8-HSMT (3,2x3)
Pacote / Invólucro
PowerVDFN-8
Número base de produto
RQ3E120
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Em estoque: 9.725
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 0,78000$ 0,78
10$ 0,48600$ 4,86
100$ 0,31360$ 31,36
500$ 0,23932$ 119,66
1.000$ 0,21536$ 215,36
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
3.000$ 0,18490$ 554,70
6.000$ 0,16956$ 1.017,36
9.000$ 0,16174$ 1.455,66
15.000$ 0,15295$ 2.294,25
21.000$ 0,14775$ 3.102,75
30.000$ 0,14270$ 4.281,00
Embalagem padrão do fabricante
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