Name: RQ3E080BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E080BNTBTR-ND
Price: 0.69 USD
Availability: InStock

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RQ3E080BNTB
Número de produto da DigiKey	RQ3E080BNTBTR-ND - Fita e carretel (TR) RQ3E080BNTBCT-ND - Fita cortada (CT) RQ3E080BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RQ3E080BNTB
Descrição	MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 8A (Ta) 2W (Ta) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	RQ3E080BNTB Modelos

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 1mA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 14.5 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 660 pF @ 15 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 2W (Ta)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 8A (Ta)	Invólucro do dispositivo fornecido 8-HSMT (3,2x3)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro PowerVDFN-8
Rds on (máx.) para Id, Vgs 15,2mOhm a 8A, 10V	Número base de produto RQ3E080