Canal P 30 V 18A (Tc) 15W (Tc) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3)
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Canal P 30 V 18A (Tc) 15W (Tc) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3)
8 HSMT

RQ3E075ATTB

Número de produto da DigiKey
RQ3E075ATTBTR-ND - Fita e carretel (TR)
RQ3E075ATTBCT-ND - Fita cortada (CT)
RQ3E075ATTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante
RQ3E075ATTB
Descrição
MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
Tempo de espera previsto do fabricante
16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal P 30 V 18A (Tc) 15W (Tc) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
RQ3E075ATTB Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Rohm Semiconductor
Séries
-
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal P
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
18A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
23mOhm a 7,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
2,5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
10.4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
930 pF @ 15 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
15W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
8-HSMT (3,2x3)
Pacote / Invólucro
PowerVDFN-8
Número base de produto
RQ3E075
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Em estoque: 1.007
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 1,77000$ 1,77
10$ 1,12500$ 11,25
100$ 0,75480$ 75,48
500$ 0,59622$ 298,11
1.000$ 0,54519$ 545,19
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
3.000$ 0,48040$ 1.441,20
6.000$ 0,44780$ 2.686,80
9.000$ 0,44375$ 3.993,75
Embalagem padrão do fabricante
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