Name: RJP020N06T100
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RJP020N06T100TR-ND
Price: 1.42 USD
Availability: InStock

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RJP020N06T100
Número de produto da DigiKey	RJP020N06T100TR-ND - Fita e carretel (TR) RJP020N06T100CT-ND - Fita cortada (CT) RJP020N06T100DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RJP020N06T100
Descrição	MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Tempo de espera previsto do fabricante	21 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 2A (Ta) 500mW (Ta) Montagem em superfície MPT3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	RJP020N06T100 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	2A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2,5V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	240mOhm a 2A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1,5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	10 nC @ 4 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	160 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	500mW (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	MPT3
Pacote / Invólucro	TO-243AA
Número base de produto	RJP020