Name: RH6R025BHTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RH6R025BHTB1TR-ND
Price: 2.62 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

RH6R025BHTB1
Número de produto da DigiKey	846-RH6R025BHTB1TR-ND - Fita e carretel (TR) 846-RH6R025BHTB1CT-ND - Fita cortada (CT) 846-RH6R025BHTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RH6R025BHTB1
Descrição	NCH 150V 25A, HSMT8, POWER MOSFE
Tempo de espera previsto do fabricante	21 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 150 V 25A (Tc) 59W (Tc) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	150 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	25A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	60mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	16.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1010 pF @ 75 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	59W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-HSMT (3,2x3)
Pacote / Invólucro	PowerVDFN-8
Número base de produto	RH6R025