Name: RF4E110GNTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RF4E110GNTRTR-ND
Price: 0.87 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

RF4E110GNTR
Número de produto da DigiKey	RF4E110GNTRTR-ND - Fita e carretel (TR) RF4E110GNTRCT-ND - Fita cortada (CT) RF4E110GNTRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RF4E110GNTR
Descrição	MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 11A (Ta) 2W (Ta) Montagem em superfície HUML2020L8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	RF4E110GNTR Modelos

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 250µA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 7.4 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 504 pF @ 15 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 2W (Ta)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 11A (Ta)	Invólucro do dispositivo fornecido HUML2020L8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro PowerUDFN-8
Rds on (máx.) para Id, Vgs 11,3mOhm a 11A, 10V	Número base de produto RF4E110

Relatar erro de informações do produto

Documentos e mídia

Classificação de exportação e ambiental

Recursos adicionais

Em estoque: 9.288

Verifique se há estoque adicional de entrada

Quantidade

Todos os preços estão em USD

Fita cortada (CT) & Digi-Reel®

* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.

Fita e carretel (TR)

Embalagem padrão do fabricante

RF4E110GNTR