Canal N 30 V 8A (Ta) 2W (Ta) Montagem em superfície HUML2020L8
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

RF4E080GNTR

Número de produto da DigiKey
RF4E080GNTRTR-ND - Fita e carretel (TR)
RF4E080GNTRCT-ND - Fita cortada (CT)
RF4E080GNTRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante
RF4E080GNTR
Descrição
MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Tempo de espera previsto do fabricante
16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 30 V 8A (Ta) 2W (Ta) Montagem em superfície HUML2020L8
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
RF4E080GNTR Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Rohm Semiconductor
Séries
-
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
8A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
17,6mOhm a 8A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
5.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
295 pF @ 15 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
HUML2020L8
Pacote / Invólucro
PowerUDFN-8
Número base de produto
RF4E080
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Em estoque: 2.030
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 0,78000$ 0,78
10$ 0,48600$ 4,86
100$ 0,31300$ 31,30
500$ 0,23822$ 119,11
1.000$ 0,21410$ 214,10
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
3.000$ 0,18344$ 550,32
6.000$ 0,16800$ 1.008,00
9.000$ 0,16012$ 1.441,08
15.000$ 0,15128$ 2.269,20
21.000$ 0,14604$ 3.066,84
30.000$ 0,14095$ 4.228,50
Embalagem padrão do fabricante