Name: R6012FNX
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6012FNX-ND
Price: 2.512 USD
Availability: OutOfStock

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R6012FNX
Número de produto da DigiKey	R6012FNX-ND
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	R6012FNX
Descrição	MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 12A (Tc) 50W (Tc) Furo passante TO-220FM
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	R6012FNX Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Granel
Part Status	Não para novos designs
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	12A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	510mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1300 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	50W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-220FM
Pacote / Invólucro	Pacote completo TO-220-3
Número base de produto	R6012

R6012FNX