Name: R6009JND3TL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6009JND3TL1TR-ND
Price: 3.3 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

R6009JND3TL1
Número de produto da DigiKey	R6009JND3TL1TR-ND - Fita e carretel (TR) R6009JND3TL1CT-ND - Fita cortada (CT) R6009JND3TL1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	R6009JND3TL1
Descrição	MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 9A (Tc) 125W (Tc) Montagem em superfície TO-252
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Não para novos designs
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	9A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	585mOhm a 4,5A, 15V
Vgs(th) (máx.) para Id	7V a 1,38mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	22 nC @ 15 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	645 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	125W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-252
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	R6009