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Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 70A (Tc) 385W (Tc) Furo passante 20-HSDIP
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

BST70B2P4K01-VC

Número de produto da DigiKey
846-BST70B2P4K01-VC-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
BST70B2P4K01-VC
Descrição
HSDIP20, 1200V, 70A, FULL-BRIDGE
Tempo de espera previsto do fabricante
27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 70A (Tc) 385W (Tc) Furo passante 20-HSDIP
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Rohm Semiconductor
Séries
-
Embalagem
Caixa
Part Status
Ativo
Tecnologia
Carboneto de silício (SiC)
Configuração
4 canais N (ponte completa)
Característica FET
-
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1200V (1,2kV)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
70A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
25mOhm a 70A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id
4,8V a 22,2mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
170nC a 18V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
4500pF a 800V
Potência - Máx.
385W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C a 175°C
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Furo passante
Pacote / Invólucro
Módulo 20-PowerDIP (1,508", 38,30mm)
Invólucro do dispositivo fornecido
20-HSDIP
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Caixa
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 110,36000$ 110,36
10$ 92,66600$ 926,66
60$ 84,96733$ 5.098,04
120$ 82,88500$ 9.946,20
Embalagem padrão do fabricante