Name: BSM180D12P3C007
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: BSM180D12P3C007-ND
Price: 563.26 USD
Availability: InStock

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BSM180D12P3C007
Número de produto da DigiKey	BSM180D12P3C007-ND
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	BSM180D12P3C007
Descrição	MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Tempo de espera previsto do fabricante	22 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 180A (Tc) 880W Montagem em superfície Módulo
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSM180D12P3C007 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Granel
Part Status	Ativo
Tecnologia	Carboneto de silício (SiC)
Configuração	2 canais N (duplo)
Característica FET	-
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1200V (1,2kV)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	180A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs	-
Vgs(th) (máx.) para Id	5,6V a 50mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	-
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	900pF a 10V
Potência - Máx.	880W
Temperatura de operação	175°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	Módulo
Invólucro do dispositivo fornecido	Módulo
Número base de produto	BSM180