Name: BSM180D12P2E002
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-BSM180D12P2E002-ND
Price: 676.5 USD
Availability: InStock

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BSM180D12P2E002
Número de produto da DigiKey	846-BSM180D12P2E002-ND
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	BSM180D12P2E002
Descrição	MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE
Tempo de espera previsto do fabricante	22 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 204A (Tc) 1360W (Tc) Montagem em chassis Módulo
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Granel
Part Status	Ativo
Tecnologia	Carboneto de silício (SiC)
Configuração	2 canais N (meia ponte)
Característica FET	-
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1200V (1,2kV)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	204A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs	-
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 35,2mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	-
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	18000pF a 10V
Potência - Máx.	1360W (Tc)
Temperatura de operação	-40°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em chassis
Pacote / Invólucro	Módulo
Invólucro do dispositivo fornecido	Módulo
Número base de produto	BSM180