Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 204A (Tc) 1360W (Tc) Montagem em chassis Módulo
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Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 204A (Tc) 1360W (Tc) Montagem em chassis Módulo
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM180D12P2E002

Número de produto da DigiKey
846-BSM180D12P2E002-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
BSM180D12P2E002
Descrição
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE
Tempo de espera previsto do fabricante
27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 204A (Tc) 1360W (Tc) Montagem em chassis Módulo
Ficha técnica
 Ficha técnica
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Categoria
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 35,2mA
Fabricante
Rohm Semiconductor
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
18000pF a 10V
Embalagem
Granel
Potência - Máx.
1360W (Tc)
Part Status
Ativo
Temperatura de operação
-40°C a 150°C (TJ)
Tecnologia
Carboneto de silício (SiC)
Tipo de montagem
Montagem em chassis
Configuração
2 canais N (meia ponte)
Pacote / Invólucro
Módulo
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1200V (1,2kV)
Invólucro do dispositivo fornecido
Módulo
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
204A (Tc)
Número base de produto
Classificação de exportação e ambiental
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