Name: BSM180D12P2C101
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: BSM180D12P2C101-ND
Price: 446.8 USD
Availability: InStock

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BSM180D12P2C101
Número de produto da DigiKey	BSM180D12P2C101-ND
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	BSM180D12P2C101
Descrição	MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE
Tempo de espera previsto do fabricante	22 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 204A (Tc) 1130W Módulo
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSM180D12P2C101 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Granel
Part Status	Ativo
Tecnologia	Carboneto de silício (SiC)
Configuração	2 canais N (meia ponte)
Característica FET	-
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1200V (1,2kV)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	204A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs	-
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 35,2mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	-
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	23000pF a 10V
Potência - Máx.	1130W
Temperatura de operação	-40°C a 150°C (TJ)
Pacote / Invólucro	Módulo
Invólucro do dispositivo fornecido	Módulo
Número base de produto	BSM180