Canal N 1200 V 204A (Tc) 1360W (Tc) Montagem em chassis Módulo
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Canal N 1200 V 204A (Tc) 1360W (Tc) Montagem em chassis Módulo
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM180C12P2E202

Número de produto da DigiKey
BSM180C12P2E202-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
BSM180C12P2E202
Descrição
SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
Tempo de espera previsto do fabricante
27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 1200 V 204A (Tc) 1360W (Tc) Montagem em chassis Módulo
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
BSM180C12P2E202 Modelos
Atributos de produto
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Categoria
Vgs (máx.)
+22V, -6V
Fabricante
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
20000 pF @ 10 V
Embalagem
Bandeja
Dissipação de potência (máx.)
1360W (Tc)
Part Status
Ativo
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Tipo de FET
Tipo de montagem
Montagem em chassis
Tecnologia
Invólucro do dispositivo fornecido
Módulo
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1200 V
Pacote / Invólucro
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Número base de produto
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 35,2mA
Classificação de exportação e ambiental
Perguntas e respostas sobre o produto
Recursos adicionais
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Bandeja
Quantidade Preço unitário Preço total
4$ 637,86250$ 2.551,45
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