Name: BSM120D12P2C005
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: BSM120D12P2C005-ND
Price: 367.77 USD
Availability: InStock

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BSM120D12P2C005
Número de produto da DigiKey	BSM120D12P2C005-ND
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	BSM120D12P2C005
Descrição	MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
Tempo de espera previsto do fabricante	22 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 120A (Tc) 780W Módulo
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSM120D12P2C005 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Granel
Part Status	Ativo
Tecnologia	Carboneto de silício (SiC)
Configuração	2 canais N (meia ponte)
Característica FET	-
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1200V (1,2kV)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	120A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs	-
Vgs(th) (máx.) para Id	2,7V a 22mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	-
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	14000pF a 10V
Potência - Máx.	780W
Temperatura de operação	-40°C a 150°C (TJ)
Pacote / Invólucro	Módulo
Invólucro do dispositivo fornecido	Módulo
Número base de produto	BSM120