Name: AG040FGS4FRATCB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-AG040FGS4FRATCBTR-ND
Price: 3.58 USD
Availability: OutOfStock

Novo na DigiKey

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

AG040FGS4FRATCB
Número de produto da DigiKey	846-AG040FGS4FRATCBTR-ND - Fita e carretel (TR) 846-AG040FGS4FRATCBCT-ND - Fita cortada (CT) 846-AG040FGS4FRATCBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	AG040FGS4FRATCB
Descrição	NCH 40V 120A, HPLF5060T5LSAH, PO
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 120A (Tc) 150W (Tc) Montagem em superfície HPLF5060T5LSAH
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,4mOhm a 120A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 4,2mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	72.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	4660 pF @ 20 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	150W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	HPLF5060T5LSAH
Pacote / Invólucro	SC-100, SOT-669