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SPW20N60CFDFKSA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SPW20N60CFDFKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SPW20N60CFDFKSA1 |
Descrição | MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3 |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 20,7A (Tc) 208W (Tc) Furo passante PG-TO247-3-1 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SPW20N60CFDFKSA1 Modelos |
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Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 5V a 1mA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 124 nC @ 10 V |
Séries | Vgs (máx.) ±20V |
Embalagem Tubo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2400 pF @ 25 V |
Part Status Última compra | Dissipação de potência (máx.) 208W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Furo passante |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V | Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO247-3-1 |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 220mOhm a 13,1A, 10V |
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Substitutos (6)
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW60R180P7XKSA1-ND | $ 3,87000 | Recomendado pelo fabricante |
| IXFH22N60P | IXYS | 0 | IXFH22N60P-ND | $ 5,77470 | Similar |
| IXFH30N60P | IXYS | 294 | IXFH30N60P-ND | $ 13,56000 | Similar |
| IXTH30N60P | IXYS | 301 | IXTH30N60P-ND | $ 13,49000 | Similar |
| SIHG22N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG22N65E-GE3-ND | $ 2,91060 | Similar |
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| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 240 | $ 2,79200 | $ 670,08 |
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