Name: IRFD1Z3
Brand: Harris Corporation
SKU: 2156-IRFD1Z3-ND
Price: 0.76 USD
Availability: InStock

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IRFD1Z3
Número de produto da DigiKey	2156-IRFD1Z3-ND
Fabricante	Harris Corporation
Número de produto do fabricante	IRFD1Z3
Descrição	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 400mA (Tc) 1W (Tc) Furo passante 4-DIP, Hexdip
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA
Fabricante Harris Corporation	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 3 nC @ 10 V
Embalagem Granel	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 50 pF @ 25 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 1W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V	Tipo de montagem Furo passante
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 400mA (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido 4-DIP, Hexdip
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Pacote / Invólucro 4-DIP (0,300", 7,62mm)
Rds on (máx.) para Id, Vgs 3,2Ohm a 250mA, 10V

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