
BSP149L6327 | |
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Número de produto da DigiKey | 2156-BSP149L6327-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | BSP149L6327 |
Descrição | N-CHANNEL POWER MOSFET |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N, modo de depleção 200 V 660mA (Ta) 1,8W (Ta) Montagem em superfície PG-SOT223-4-21 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Categoria | Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,8Ohm a 660mA, 10V |
Fabricante | Vgs(th) (máx.) para Id 1V a 400µA |
Séries | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 14 nC @ 5 V |
Embalagem Granel | Vgs (máx.) ±20V |
Part Status Ativo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 430 pF @ 25 V |
Tipo de FET | Dissipação de potência (máx.) 1,8W (Ta) |
Tecnologia | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 200 V | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Invólucro do dispositivo fornecido PG-SOT223-4-21 |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V | Pacote / Invólucro |
| Granel: | 1910 |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 545 | $ 0,55000 | $ 299,75 |

