Name: UPA2815T1S-E2-AT
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-UPA2815T1S-E2-ATTR-ND
Price: 1.47 USD
Availability: InStock

Canal P 30 V 21A (Tc) 1,5W (Ta) Montagem em superfície 8-HWSON (3,3x3,3)

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

UPA2815T1S-E2-AT
Número de produto da DigiKey	559-UPA2815T1S-E2-ATTR-ND - Fita e carretel (TR) 559-UPA2815T1S-E2-ATCT-ND - Fita cortada (CT) 559-UPA2815T1S-E2-ATDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de produto do fabricante	UPA2815T1S-E2-AT
Descrição	MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 30 V 21A (Tc) 1,5W (Ta) Montagem em superfície 8-HWSON (3,3x3,3)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	UPA2815T1S-E2-AT Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 47 nC @ 10 V
Fabricante Renesas Electronics Corporation	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1760 pF @ 10 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 1,5W (Ta)
Tipo de FET Canal P	Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Invólucro do dispositivo fornecido 8-HWSON (3,3x3,3)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 21A (Tc)	Pacote / Invólucro PowerWDFN-8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Número base de produto UPA2815
Rds on (máx.) para Id, Vgs 11mOhm a 21A, 10V