Name: RJK03M4DPA-00#J5A
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RJK03M4DPA-00#J5ATR-ND
Price: 2.39 USD
Availability: InStock

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RJK03M4DPA-00#J5A
Número de produto da DigiKey	559-RJK03M4DPA-00#J5ATR-ND - Fita e carretel (TR) 559-RJK03M4DPA-00#J5ACT-ND - Fita cortada (CT) 559-RJK03M4DPA-00#J5ADKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de produto do fabricante	RJK03M4DPA-00#J5A
Descrição	MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 35A (Ta) 30W (Tc) Montagem em superfície 8-WPAK
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	RJK03M4DPA-00#J5A Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Última compra
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	35A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	4,6mOhm a 17,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	-
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	12 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2170 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	30W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-WPAK
Pacote / Invólucro	8-WFDFN pad exposto
Número base de produto	RJK03M4