Name: NP75P03YDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP75P03YDG-E1-AYTR-ND
Price: 3.19 USD
Availability: InStock

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NP75P03YDG-E1-AY
Número de produto da DigiKey	559-NP75P03YDG-E1-AYTR-ND - Fita e carretel (TR) 559-NP75P03YDG-E1-AYCT-ND - Fita cortada (CT) 559-NP75P03YDG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de produto do fabricante	NP75P03YDG-E1-AY
Descrição	MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 30 V 75A (Tc) 1W (Ta), 138W (Tc) Montagem em superfície 8-HSON
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	NP75P03YDG-E1-AY Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	75A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	6,2mOhm a 37,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	141 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	4800 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1W (Ta), 138W (Tc)
Temperatura de operação	175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-HSON
Pacote / Invólucro	8-SMD, condutor plano pad exposto
Número base de produto	NP75P03