Name: NP75P03YDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP75P03YDG-E1-AYTR-ND
Price: 3.41 USD
Availability: InStock

Canal P 30 V 75A (Tc) 1W (Ta), 138W (Tc) Montagem em superfície 8-HSON

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NP75P03YDG-E1-AY
Número de produto da DigiKey	559-NP75P03YDG-E1-AYTR-ND - Fita e carretel (TR) 559-NP75P03YDG-E1-AYCT-ND - Fita cortada (CT) 559-NP75P03YDG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de produto do fabricante	NP75P03YDG-E1-AY
Descrição	MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 30 V 75A (Tc) 1W (Ta), 138W (Tc) Montagem em superfície 8-HSON
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	NP75P03YDG-E1-AY Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 141 nC @ 10 V
Fabricante Renesas Electronics Corporation	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 4800 pF @ 25 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 1W (Ta), 138W (Tc)
Tipo de FET Canal P	Temperatura de operação 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 75A (Tc)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V	Invólucro do dispositivo fornecido 8-HSON
Rds on (máx.) para Id, Vgs 6,2mOhm a 37,5A, 10V	Pacote / Invólucro 8-SMD, condutor plano pad exposto
Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 250µA	Número base de produto NP75P03