Name: NP30N06QDK-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP30N06QDK-E1-AYTR-ND
Price: 3.18 USD
Availability: OutOfStock

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NP30N06QDK-E1-AY
Número de produto da DigiKey	559-NP30N06QDK-E1-AYTR-ND - Fita e carretel (TR) 559-NP30N06QDK-E1-AYCT-ND - Fita cortada (CT) 559-NP30N06QDK-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de produto do fabricante	NP30N06QDK-E1-AY
Descrição	MOSFET 2N-CH 60V 30A 8HSON
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 60V 30A (Tc) 1W (Ta), 59W (Tc) Montagem em superfície 8-HSON (5x5,4)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Configuração	2 canais N (duplo)
Característica FET	-
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	30A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs	14mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	38nC a 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2250pF a 25V
Potência - Máx.	1W (Ta), 59W (Tc)
Temperatura de operação	175°C
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	PowerLDFN-8
Invólucro do dispositivo fornecido	8-HSON (5x5,4)
Número base de produto	NP30N06