Name: PJD50P04-AU_L2_000A1
Brand: Panjit International Inc.
SKU: 3757-PJD50P04-AU_L2_000A1TR-ND
Price: 1.58 USD
Availability: InStock

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PJD50P04-AU_L2_000A1
Número de produto da DigiKey	3757-PJD50P04-AU_L2_000A1TR-ND - Fita e carretel (TR) 3757-PJD50P04-AU_L2_000A1CT-ND - Fita cortada (CT) 3757-PJD50P04-AU_L2_000A1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Panjit International Inc.
Número de produto do fabricante	PJD50P04-AU_L2_000A1
Descrição	40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Tempo de espera previsto do fabricante	52 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 40 V 9A (Ta), 50A (Tc) 2,4W (Ta), 75W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Panjit International Inc.
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	9A (Ta), 50A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	12mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	23 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2767 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,4W (Ta), 75W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-252AA
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	PJD50