Name: PJD13N10A_L2_00001
Brand: Panjit International Inc.
SKU: 3757-PJD13N10A_L2_00001TR-ND
Price: 0.83 USD
Availability: InStock

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PJD13N10A_L2_00001
Número de produto da DigiKey	3757-PJD13N10A_L2_00001TR-ND - Fita e carretel (TR) 3757-PJD13N10A_L2_00001CT-ND - Fita cortada (CT) 3757-PJD13N10A_L2_00001DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Panjit International Inc.
Número de produto do fabricante	PJD13N10A_L2_00001
Descrição	100V N-CHANNEL MOSFET
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 2,9A (Ta), 13A (Tc) 2W (Ta), 41W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 250µA
Fabricante Panjit International Inc.	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 20 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1413 pF @ 25 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 2W (Ta), 41W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 2,9A (Ta), 13A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido TO-252AA
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Rds on (máx.) para Id, Vgs 115mOhm a 6,5A, 10V	Número base de produto PJD13

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PJD13N10A_L2_00001